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直由阳R、R,消耗的电功率之比为1:227.14分)氧化像(GO)导电性能与光学性能优异,被称为第四代半导体材料。以铝土矿(主要成分为A1,O,含少量F©,0,、Si0,和镓的化合物杂质)为原料,冶炼
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